پایان نامه رایگان درمورد ﺻﻮرت و ﻣﻌﺎدﻟﻪ

دانلود پایان نامه

ﺑﺎ زﻣﯿﻨﻪ GaAs ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ ﺳﯿﻠﯿﮑﻮن(ﯾﻌﻨﯽ ( n – doped اﺳﺖ و ﯾﮏ لاﯾﻪ ﺷﻔﺎف n – dopped رﺷﺪ داده
ﻣﯽ ﺷﻮد. روی آن ﯾﮏ ﻧﺎﺣﯿﻪ ﺑﺎﻓﺮ Superlattice رﺷﺪ داده ﻣﯽ ﺷﻮد، در اﺑﺘﺪا n – dopped
– 56 –
و ﺳﭙﺲ لاﯾﻪ ﻫﺎی ﭼﺎه ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ GaAs 95. و ﺳﺪ ﻫﺎی 98A. GaAlAs ﺑﻪ ﺻﻮرت ﯾﮏ درﻣﯿﺎن ﺑﻪ ﻣﯿﺰان
50 ﻋﺪد ﺑﺮای ﺗﺸﮑﯿﻞ MQW ﺑﻮﺟﻮد ﻣﯽ آﯾﺪ. در ﻧﻬﺎﯾﺖ ﺑﻪ ﺗﺮﺗﯿﺐ ﺳﺮی Superlattice ﺧﺎﻟﺺ و ﺗﺰرﯾﻖ
ﺷﺪه و GaAlAs ﺗﺰرﯾﻖ ﺷﺪه، اﯾﻦ ﺑﺎر ﺑﺎ ﻧﺎﺧﺎﻟﺼﯽ p رﺷﺪ داده ﻣﯽ ﺷﻮد. ﻧﺎزﮐﯽ لاﯾﻪ ﻫﺎی GaAs در
( 28.5 A. ) Superlattice اﯾﻦ اﻃﻤﯿﻨﺎن را ﻣﯽ دﻫﺪ ﮐﻪ ﺟﺬب ﻧﻮری اﯾﻦ ﻣﺎده ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﻮﺟﻬﺎی ﮐﻮﺗﺎﻫﺘﺮ از ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻣﺪار ﺳﻮق داده ﻣﯽ ﺷﻮد.
ﺷﮑﻞ (2-16 ﺟﺰﯾﯿﺎت ﺳﺎﺧﺘﺎر SEED
( 2-16 ﺗﻮﺻﯿﻒ ﻓﺮﻣﻮﻟﯽ ﻋﻤﻠﮑﺮد SEED
ﺑﻪ ﻃﻮر ﮐﻠﯽ رﻓﺘﺎر ﻓﯿﺪﺑﮑﯽ ادوات SEED ﺑﻪ ﺻﻮرت دو ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﮐﻪ ﻫﻤﺰﻣﺎن در آن ﺻﺎدﻗﻨﺪ، ﺗﻮﺻﯿﻒ ﻣﯽ ﺷﻮد. ﯾﮏ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت آﺷﮑﺎرﺳﺎزی ﺳﺎﺧﺘﺎر ﭼﺎه ﮐﻮاﻧﺘﻮﻣﯽ ( ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ 2-16 آﻣﺪه اﺳﺖ.) را ﺑﯿﺎن
ﻣﯽ دارد ﮐﻪ در ﺟﺮﯾﺎن I ﺑﺮﺣﺴﺐ ﺗﺎﺑﻌﯽ از وﻟﺘﺎژ ﻣﺪولاﺗﻮر V، ﺗﻮان ﻧﻮری ورودی Pin و ﻃﻮل ﻣﻮج λ ﻧﻮر
ورودی ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﻧﻮﺷﺘﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد.
I = I ( V , λ, Pin ) (1)
راﺑﻄﻪ ﺑﻌﺪی در ﻣﻮرد ﺗﻮﺻﯿﻒ ﻋﻤﻠﮑﺮد ﻣﺪارﯾﺴﺖ ﮐﻪ ﺑﻪ ﻗﻄﻌﻪ وﺻﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ. در ﺣﻘﯿﻘﺖ راﺑﻄﻪ ﺑﯿﻦ I و
V را ﮐﻪ ﻣﺪار اﯾﺠﺎد ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ﻣﺪ ﻧﻈﺮ ﻣﺎﺳﺖ.
I=I(V) (2)
– 57 –
اﯾﻦ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺧﻂ ﺑﺎر ﻣﺪار اﺳﺖ وI ﺑﻪ ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻫﺎﯾﯽ ﻧﻈﯿﺮ وﻟﺘﺎژ ﺑﺎ ﻣﻘﺎدﯾﺮ اﻟﻤﺎﻧﻬﺎی ﻣﺪار ﮐﻪ در اﯾﻨﺠﺎ ﺑﻪ
ﺻﺮاﺣﺖ ذﮐﺮ ﻧﺸﺪه، ارﺗﺒﺎط دارد. ﺑﺎ ﺣﻞ ﻫﻤﺰﻣﺎن اﯾﻦ دو ﻣﻌﺎدﻟﻪ و ﺣﺬف I از آن، راﺑﻄﻪ ﺑﯿﻦ Pin و V در
ﯾﮏ ﻃﻮل ﻣﻮج ﻣﺸﺨﺺ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽ آﯾﺪ و اﯾﻦ ﺧﻮد ﻣﺒﯿﻦ ﻋﻤﻠﮑﺮد داﺧﻠﯽ ﻗﻄﻌﻪ اﺳﺖ.
ﯾﮏ راﺑﻄﻪ ﺳﺎده دﯾﮕﺮ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ از ﺗﻮان ﻧﻮری ورودی ﻣﻨﺘﺞ ﻣﯽ ﺷﻮد، ﯾﻌﻨﯽ ﺗﺎﺑﻊ
اﻧﺘﻘﺎل ﻣﺪولاﺗﻮر ﺑﺮای ﺗﻮان ﺧﺮوﺟﯽ ﻧﻮری Pout ﺑﺪﯾﻦ ﺻﻮرت ﺑﯿﺎن ﻣﯽ ﺷﻮد.
Pout= Pout ( V , λ, Pin ) (3)
ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ” ﺑﺮای ﺗﻤﺎم ﺣﺎلات ﻣﻌﺎدﻟﻪ آﺷﮑﺎر ﺳﺎزی 1 ﺑﻪ ﺻﻮرت زﯾﺮ ﺧلاﺻﻪ ﻣﯽ ﺷﻮد.
I = S(V,λ ) Pin (4)
ﮐﻪ S ﭘﺎﺳﺦ آﺷﮑﺎرﺳﺎز ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺗﺎﺑﻌﯽ از وﻟﺘﺎژ و ﻃﻮل ﻣﻮج اﺳﺖ. اﯾﻦ ﺳﺎده ﺳﺎزی ﺑﺪﯾﻦ دﻟﯿﻞ ﺻﻮرت ﻣﯽ